IGBT耐壓測試高壓電源特點(diǎn)和優(yōu)勢：
十ms級(jí)的上升沿和下降沿；
單臺(tái)Z大3500V的輸出；
0.1%測試精度；
同步電流或電壓測量；
支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；
應(yīng)用領(lǐng)域：
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動(dòng)態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對(duì)于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！
